9icnet为您提供由东芝半导体和存储公司设计和生产的SSM3K35AMFV、L3F,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SSM3K35AMFV,L3F价格参考0.25000美元。东芝半导体和存储SSM3K35AMFV,L3F封装/规格:MOSFET N-CH 20V 250MA VESM。您可以下载SSM3K35AMFV、L3F英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SSM3K337R,LF,带引脚细节,包括Digi-ReelR替代封装,它们设计用于SOT-23-3扁平引线封装外壳,其工作温度范围为150°C(TJ),提供表面安装等安装类型功能,供应商器件封装设计用于SOT-23F,以及MOSFET N沟道、金属氧化物FET类型,该器件还可以用作1W功率最大值。此外,漏极到源极电压Vdss为38V,该器件提供120pF@10V输入电容Cis-Vds,该器件具有逻辑电平门,FET特性的4V驱动,电流连续漏极Id 25°C为2A(Ta),最大Rds Id Vgs为150 mOhm@2A,10V,Vgs th最大Id为1.7V@1mA,栅极电荷Qg-Vgs为3nC@10V。
SSM3K337R,带有东芝制造的用户指南。SSM3K337R在SOT-23封装中提供,是FET的一部分-单个。
SSM3K33R,带有VB制造的电路图。SSM3K33R采用SOT-23封装,是IC芯片的一部分。
SSM3K35,带有TOSHIBA制造的EDA/CAD模型。是FET的一部分-单个。