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CSD25304W1015

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 750mW (Ta) 供应商设备包装: 6-DSBGA (1x1.5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 德州仪器 (Texas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 3000

数量 单价 合计
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 制造厂商 德州仪器 (Texas)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.8伏、4.5伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3A (Ta)
  • 最大功耗 750mW (Ta)
  • 供应商设备包装 6-DSBGA (1x1.5)
  • 包装/外壳 6-UFBGA, DSBGA
  • 导通电阻 Rds(ON) 32.5毫欧姆 @ 1.5A, 4.5V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.15伏@250A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 4.4 nC @ 4.5 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 595 pF @ 10 V
  • 色彩/颜色 White

CSD25304W1015 产品详情

CSD25304W1015所属分类:分立场效应晶体管 (FET),CSD25304W1015 由 德州仪器 (Texas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。CSD25304W1015价格参考¥1.533684,你可以下载 CSD25304W1015中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询CSD25304W1015规格参数、现货库存、封装信息等信息!

德州仪器 (Texas)

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