这些器件是使用新一代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET：MDmesh II Plus低Qg。这些革命性的功率MOSFET将垂直结构与公司的带状布局相关联，从而产生世界上最低的导通电阻和栅极电荷。因此，它们适用于要求最高的高效率转换器。
特色
- 极低门电荷
- 较低RDS（on）xareavspreviousgeneration
- 低栅极输入电阻
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
STO67N60M6
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 34A (Tc) 最大功耗: 150W（Tc） 供应商设备包装: TOLL (HV) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 55.33575 | 55.33575 |
| 10+ | 50.01222 | 500.12225 |
| 100+ | 41.40765 | 4140.76590 |
| 500+ | 37.00861 | 18504.30600 |
| 1800+ | 37.00868 | 66615.63120 |
- 库存: 0
- 单价: ¥50.33816
-
数量:
- +
- 总计: ¥55.34
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 漏源电压标 (Vdss) 600 V
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 包装/外壳 8-PowerSFN
- 最大功耗 150W（Tc）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 34A (Tc)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.75V @ 250A
- 供应商设备包装 TOLL (HV)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 72.5 nC @ 10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3400 pF @ 100 V
- 导通电阻 Rds(ON) 54毫欧姆 @ 26A, 10V
STO67N60M6 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| STOOPF17025Z032S00 | 三星半导体 (Samsung) | 种类: 恒定电流 输出数量: one 输出电压: 28 ~ 34V 功率（瓦特）: 25瓦 最大输出电流: 700毫安 | ¥464.40026 |
| STOOPF214A0Z032S00 | 三星半导体 (Samsung) | 种类: 恒定电流 输出数量: one 输出电压: 28~36伏 功率（瓦特）: 100瓦 最大输出电流: 1.4A 工作温度: -30摄氏度~50摄氏度 | ¥287.79523 |
| STOOPF214A0Z032S01 | 三星半导体 (Samsung) | 种类: 恒定电流 输出数量: one 输出电压: 28 ~ 34V 功率（瓦特）: 100瓦 最大输出电流: 1.4A | ¥399.27211 |
| STOOPF22175Z032S00 | 三星半导体 (Samsung) | 种类: 恒定电流 输出数量: one 输出电压: 28~36伏 功率（瓦特）: 75 W 最大输出电流: 2.1A | ¥300.04438 |
| STOOPF221A5Z032S00 | 三星半导体 (Samsung) | 种类: 恒定电流 输出数量: one 输出电压: 28~36伏 功率（瓦特）: 150瓦 最大输出电流: 2.1A 工作温度: -30摄氏度~50摄氏度 | ¥301.14953 |
| STOOPF221A5Z032S01 | 三星半导体 (Samsung) | 种类: 恒定电流 输出数量: one 输出电压: 28~36伏 功率（瓦特）: 150瓦 最大输出电流: 2.1A | ¥369.26176 |
STO67N60M6所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，STO67N60M6 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STO67N60M6价格参考￥50.338155，你可以下载 STO67N60M6中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STO67N60M6规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
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