- 应用范围：高速开关/模拟开关
- 特点：高ESD保护
- 极性：N-ch
- 生成：π-MOSⅥ
- 内部连接：单个
- AEC-Q101：合格（*）
- RoHS兼容产品（#）：可用
- 组装基地：泰国
特色
- 装配底座：1.5 V
- 装配底座：7.0Ω
- 装配底座：4.0Ω
- 装配底座：8.5 pF
应用
高速开关/模拟开关
SSM3K44MFV,L3F
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta） 最大功耗: 150mW（Ta） 供应商设备包装: VESM 工作温度: 150摄氏度
- 品牌: 东芝 (Toshiba)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 1.88315 | 1.88315 |
| 10+ | 1.54273 | 15.42738 |
| 100+ | 0.81772 | 81.77230 |
| 500+ | 0.53771 | 268.85650 |
| 1000+ | 0.36569 | 365.69400 |
| 2000+ | 0.32984 | 659.68400 |
| 8000+ | 0.28681 | 2294.55200 |
| 16000+ | 0.24379 | 3900.73600 |
- 库存: 0
- 单价: ¥1.88315
-
数量:
- +
- 总计: ¥1.88
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 漏源电流 (Id) @ 温度 100毫安（Ta）
- 最大功耗 150mW（Ta）
- 包装/外壳 SOT-723
- 制造厂商 东芝 (Toshiba)
- 工作温度 150摄氏度
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、4伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@100A.
- 供应商设备包装 VESM
- 导通电阻 Rds(ON) 4欧姆 @ 10毫安, 4V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 8.5 pF @ 3 V
SSM3K44MFV,L3F 产品详情
SSM3K44MFV,L3F 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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| SSM01511500SC | 泰科航天 (TE) | SSM01511500SC = SOLDER CUP | ¥57.69694 |
| SSM01511500SCN | 泰科航天 (TE) | SSM01511500SCN = SOLDER CUP | ¥121.44895 |
| SSM02511500SCQ | 泰科航天 (TE) | SSM02511500SCQ = SOLDER CUP | ¥833.51293 |
| SSM03711500PC | 泰科航天 (TE) | SSM03711500PC = SOLDER CUP | ¥41.83499 |
| SSM00511500PCH | 泰科航天 (TE) | SSM00511500PCH = SOLDER CUP | ¥257.65893 |
 | SSM-103-L-DV-K-TR | 申泰 (Samtec) | 连接端子种类: 插座，穿过 接触头种类: Female Socket 针位数: 6 配接间距: 0.100英寸（2.54毫米） 连接头表面处理: 金 安装类别: 表面安装 | ¥21.07684 |
SSM3K44MFV,L3F所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SSM3K44MFV,L3F 由 东芝 (Toshiba) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SSM3K44MFV,L3F价格参考￥1.883154，你可以下载 SSM3K44MFV,L3F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SSM3K44MFV,L3F规格参数、现货库存、封装信息等信息！
东芝 (Toshiba)
东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案，使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。
