XP161A1265PR-G是一种N沟道功率MOSFET,具有低导通电阻和超高速开关特性。因为高速切换是可能的,所以可以有效地设置IC,从而节省能量。内置栅极保护二极管,防止静电损坏。小型SOT-89封装使得高密度安装成为可能。
特征:
- 低通态电阻
- Rds(开)=0.055Ω@Vgs=4.5V
- Rds(开)=0.095Ω@Vgs=2.5V
- 超高速开关
- 内置栅极保护二极管
- 驱动电压:2.5V
起订量: 1000
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1000+ | 2.71521 | 2715.21800 |
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XP161A1265PR-G是一种N沟道功率MOSFET,具有低导通电阻和超高速开关特性。因为高速切换是可能的,所以可以有效地设置IC,从而节省能量。内置栅极保护二极管,防止静电损坏。小型SOT-89封装使得高密度安装成为可能。
特征:
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