该器件是使用第六代STripFET技术开发的N沟道功率MOSFET,具有新的沟槽栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中都表现出非常低的RDS(开启)。
特色
- Verylowon抗性
- Verylow开关门充电
- 高雪崩强度
- 低门驱动功率损失
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 11.87835 | 11.87835 |
10+ | 10.66879 | 106.68792 |
100+ | 8.57486 | 857.48690 |
500+ | 7.04516 | 3522.58450 |
1000+ | 6.40475 | 6404.75200 |
3000+ | 6.40467 | 19214.03700 |
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该器件是使用第六代STripFET技术开发的N沟道功率MOSFET,具有新的沟槽栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中都表现出非常低的RDS(开启)。
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