9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的VN0104N3-G-P013，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VN0104N3-G-P013参考价格0.63801美元。Microchip Technology VN0104N3-G-P013封装/规格：MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3。您可以下载VN0104N3-G-P013英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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VN0104N3-G是MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3，包括替代包装包装，它们设计为在0.007760盎司单位重量下工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-226-3、to-92-3（to-226AA）等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该设备在TO-92-3供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为1W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为65pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为350mA（Tj），最大Id Vgs上的Rds为3 Ohm@1A，10V，Vgs最大Id为2.4V@1mA，Pd功耗为1 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为2 A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds导通漏极-漏极电阻为3欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为6ns，典型接通延迟时间为3ns，沟道模式为增强。
带有用户指南的VN0104N3-G-P013，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.016000盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如3 ns，典型的关闭延迟时间设计为6 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件以5 ns上升时间提供，该器件具有5欧姆的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为1 W，封装为弹药包，封装盒为TO-92-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为2A，下降时间为5ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
带有电路图的VN0104N3-G P005，包括增强通道模式，它们设计为在2 a Id连续漏电流下运行，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供通道数量功能，如1通道，包装箱设计为在to-92-3中工作，以及卷筒包装，该器件也可以用作5欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，该技术为硅，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型N沟道，单位重量为0.016000盎司，Vds漏极-源极击穿电压为40 V。
VN0104N3，带有SUPERTEX制造的EDA/CAD模型。VN0104N3在TO-92封装中提供，是FET的一部分-单个。
