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PJP18N20_T0_00001

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 89W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 强茂 (Panjit)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 8.03961 8.03961
10+ 7.19220 71.92200
100+ 5.60745 560.74530
500+ 4.63212 2316.06200
1000+ 3.65694 3656.94000
2000+ 3.41314 6826.28800
5000+ 3.32449 16622.45500
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  • 单价: ¥8.03962
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    - +
  • 总计: ¥8.04
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至220-3
  • 供应商设备包装 TO-220AB
  • 漏源电压标 (Vdss) 200伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 24 nC@10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 18A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 160毫欧姆@9A、10V
  • 制造厂商 强茂 (Panjit)
  • 最大功耗 89W (Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1017 pF@25 V

PJP18N20_T0_00001 产品详情

PJP18N20_T0_00001所属分类:分立场效应晶体管 (FET),PJP18N20_T0_00001 由 强茂 (Panjit) 设计生产,可通过久芯网进行购买。PJP18N20_T0_00001价格参考¥8.039619,你可以下载 PJP18N20_T0_00001中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询PJP18N20_T0_00001规格参数、现货库存、封装信息等信息!

强茂 (Panjit)

强茂 (Panjit)

PANJIT成立于1986年,生产齐纳二极管、表面安装整流器、玻璃钝化整流器芯片、玻璃钝化结整流器、塑料钝化结整流器、瞬态电压抑制器、半导体和相关产品。近年来,PANJIT扩大了产品范围,于2015年推...

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