9icnet为您提供NXP USA Inc.设计生产的PSMN035-150P,该产品在9icnet现场销售,可以通过原厂、代理商等渠道购买。PSMN035-150P参考价格0.70000美元。NXP USA Inc.PSMN035-150P封装/规格:N通道功率MOSFET。您可以下载PSMN035-150P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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PSMN034-100BS,118是MOSFET N-CH 100V 32A D2PAK,包括Digi-ReelR替代封装,它们设计用于to-263-3、D2PAK(2引线+接线片)、to-263AB封装盒,其工作温度范围为-55°C~175°C(TJ),提供表面安装等安装类型功能,供应商设备封装设计用于D2PAK,除了MOSFET N沟道、金属氧化物FET类型之外,该器件还可以用作86W功率最大值。此外,漏极到源极电压Vdss为100V,该器件提供的输入电容为1201pF@50V Ciss Vds,该器件具有FET特性标准,25°C的电流连续漏极Id为32A(Tc),最大Id Vgs上的Rds为34.5 mOhm@15A、10V,Vgs最大Id为4V@1mA,栅极电荷Qg Vgs为23.8nC@10V。
带有NXP制造的用户指南的PSMN030-60YS。PSMN030-60YS以SOT-669封装形式提供,是FET的一部分-单个。
PSMN034-100PS是NXP/PH制造的MOSFET N-CH 100V TO220AB。PSMN034-100PS在TO-220-3封装中提供,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH 100V TO220AB。
PSMN035-100LS,带有NXP制造的EDA/CAD模型。PSMN035-100LS在QFN封装中提供,是FET的一部分-单个。