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BUK9Y107-80EX是MOSFET N-CH 80V 11.8A LFPAK，包括TrenchMOS？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供SC-100、SOT-669、4-LFPAK等封装盒功能，技术设计用于Si，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备也可用作表面安装安装类型。此外，信道数为1信道，该设备采用LFPAK Power-SO8供应商设备包提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为37W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为80V，输入电容Cis-Vds为706pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为11.8A（Tc），最大Id Vgs的Rds为98 mOhm@5A，10V，Vgs最大Id为2.1V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为6.2nC@5V，Pd功耗为37 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7.3 ns，上升时间为7.5 ns，Vgs栅极-源极电压为15V，Id连续漏极电流为11.8A，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Vgs第栅极-源阈值电压为1.7V，Rds导通漏极-漏极电阻为89.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为9.6ns，典型导通延迟时间为5.5ns，Qg栅极电荷为6.2nC，信道模式为增强。
BUK9Y11-80EX是MOSFET N沟道80 V 11 mo FET，包括1.7 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在15 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于80 V，提供典型的开启延迟时间功能，如23 ns，典型的关闭延迟时间设计为62 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以40 ns上升时间提供，器件具有8.1 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为44.2 nC，Pd功耗为194 W，封装为卷轴式，封装外壳为LFPAK-4，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为84 A，下降时间为36 ns，配置为单一，通道模式为增强。
BUK9Y11-30B，带有NXP制造的电路图。BUK9Y11-30B在LFPAK封装中提供，是FET的一部分-单个。
BUK9Y11-30B、115是FSC制造的MOSFET N-CH 30V 59A LFPAK。BUK9Y11-30B，115可采用SC-100、SOT-669、4-LFPAK封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 59A LFPAK、N沟道30V 59V（Tc）75W（Tc）表面贴装LFPAK56、Power-SO8、Trans MOSFET N-CH30V 59B Automotive 5引脚（4+Tab）LFPAK T/R、MOSFET Trans N-CH 30 V 59A 5引脚（4+Tab）。
