SI2387DS-T1-GE3

Name: SI2387DS-T1-GE3
Brand: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
SKU: 7145380-SI2387DS-T1-GE3
Price: 3.766308 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.1A（Ta）、3A（Tc）最大功耗: 1.3W（Ta）、2.5W（Tc）供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
交期:5-7 工作日

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10+	3.04201	30.42018
100+	2.07002	207.00210
500+	1.55258	776.29400
1000+	1.16451	1164.51300
3000+	1.06745	3202.37700
6000+	1.00278	6016.68000

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规格参数

部件状态可供货
技术 MOSFET（金属氧化物）
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
制造厂商黑森尔 (Vishay Siliconix)
场效应管类型 P-通道
包装/外壳至236-3，SC-59，SOT-23-3
漏源电压标 (Vdss) 80 V
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
供应商设备包装 SOT-23-3 (TO-236)
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10.2 nC@10 V
最大功耗 1.3W（Ta）、2.5W（Tc）
漏源电流 (Id) @ 温度 2.1A（Ta）、3A（Tc）
导通电阻 Rds(ON) 164毫欧姆@2.1A，10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 395 pF @ 40 V
色彩/颜色 White

SI2387DS-T1-GE3 产品详情

SI2387DS-T1-GE3 相关器件

型号	制造商	描述	价格
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SI2302	伯恩半导体 (BORN)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：45mΩ@4.5V,3A	¥0.14848

SI2387DS-T1-GE3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SI2387DS-T1-GE3 由黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SI2387DS-T1-GE3价格参考￥3.766308，你可以下载 SI2387DS-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SI2387DS-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！