9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的NX7002BKVL，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NX7002BKVL参考价格为0.03190美元。Nexperia USA Inc.NX7002BKVL封装/规格：MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB。您可以下载NX7002BKVL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NX7002BKR是MOSFET 60V N沟道沟道MOSFET，包括卷轴封装，它们设计为以0.050717盎司的单位重量运行，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SOT-23-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1信道数量的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为N沟道，器件采用400mW Pd功耗，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为2.9 ns，上升时间为4.3 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为330 mA，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.1V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为6.9ns，典型接通延迟时间为4.7ns，Qg栅极电荷为1NC，正向跨导最小值为600mS，沟道模式为增强。
NX7002BKS带有用户指南，包括2.1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于6-TSSOP供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于2.8 Ohm@200mA，10V，提供320mW等最大功率功能，包装设计用于磁带和卷轴（TR），以及6-TSSOP、SC-88、SOT-363包装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供23.6pF@10V输入电容Ciss Vds，该器件具有1nC@110V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为60V，25°C电流连续漏极Id为240mA。
NX7002BKMYL带有电路图，包括卷筒包装，它们设计为使用硅技术操作。
NX7002BKSX，带有NXP制造的EDA/CAD模型。是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET 60V、N沟道60V 270mA（Ta）310mW（Ta）、1.67W（Tc）表面安装6-TSSOP、Trans MOSFET N-CH 60V 330A 6-Pin TSSOP、MOSFET60V、双N沟道沟槽MOSFET”。
