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DMP3007SCGQ-13

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: V-DFN3333-8 (Type B) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 3000

数量 单价 合计
3000+ 4.64900 13947.00000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥4.64900
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥13,947.00
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 场效应管类型 P-通道
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
  • 最大功耗 1W(Ta)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 50A (Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 64.2 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2826 pF@15 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 6.8毫欧姆 @ 11.5A, 10V
  • 供应商设备包装 V-DFN3333-8 (Type B)
  • 种类 -
  • 材质 -
  • 色彩/颜色 -

DMP3007SCGQ-13 产品详情

P沟道MOSFET,30V,二极管公司

特色

  • 低RDS(ON)–确保最大限度地减少ON状态损耗
  • 小尺寸热效率封装可实现更高密度的最终产品
  • 仅占SO-8占据的板面积的33%,从而实现更小的最终产品
  • 典型的8kV HBM ESD保护等级

应用

  • 背光
  • 电源管理功能
  • DC-DC转换器
DMP3007SCGQ-13所属分类:分立场效应晶体管 (FET),DMP3007SCGQ-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMP3007SCGQ-13价格参考¥4.649000,你可以下载 DMP3007SCGQ-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMP3007SCGQ-13规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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