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PSMN0R9-30YLDX带有引脚细节，包括卷轴封装，它们设计为与SMD/SMT安装样式一起工作，数据表注释中显示了用于LFPAK-4的封装盒，该LFPAK-4提供Si等技术特性，信道数设计为在1信道中工作，以及单配置，该设备也可以用作1 N信道晶体管类型。此外，Pd功耗为349W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为42.6 ns，上升时间为49.8 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为100 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为1.5V，Rds漏极-源极电阻为870uOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为63ns，典型接通延迟时间为38.1ns，Qg栅极电荷为51nC，沟道模式为增强。
PSMN0R7-25YLDX带有用户指南，其中包括Si技术，它们设计用于卷筒包装。
PSMN0R9-25YLC，115，带有NXP制造的电路图。PSMN0R9-25YLC，115可在SOT-669封装中获得，是IC芯片的一部分，N沟道25V 100A（Tc）272W（Tc）表面贴装LFPAK56，Power-SO8，Trans MOSFET N-CH 25V 100B 5引脚（4+Tab）LFPAK T/R，MOSFET N-CH 25V 0.99 mOhms。
PSMN0R9-25YLC115，带有NXP制造的EDA/CAD模型。PSMN0R9-25YLC115采用SOT669封装，是IC芯片的一部分。
