9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7726DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7726DN-T1-GE3参考价格为0.42900美元。Vishay Siliconix SI7726DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8。您可以下载SI7726DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如SI7726DN-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI7720DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8，包括卷轴封装，它们设计为与SI7720DN-GE3部件别名一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如PowerPAK-1212-8，技术设计为在Si中工作，该器件也可以用作单四漏三源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供3.8 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-50 C，下降时间为12 ns，上升时间为13 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为12 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极漏极-漏极电阻为12.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为29ns，典型接通延迟时间为23ns，沟道模式为增强。
SI7720DN-T1-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SI7720DN-T1-E3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
SI7726DN-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI7726DN-T1-E3采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
