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STL100N6LF6是MOSFET N-Ch 60V 0.0038 Ohm 22A STripFET VI MOS，包括N沟道STripMOSFET系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如PowerFlat-8，技术设计用于Si，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供80 W Pd功耗，该器件具有20 V的Vgs栅极-源极电压，Id连续漏极电流为14 a，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Vgs第栅极-源阈值电压为2.4 V，Rds漏极源极电阻为4.5 m欧姆，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为130nC。
STL100N8F7，带有ST制造的用户指南。STL100N6F7以TDSON-8封装形式提供，是晶体管-FET、MOSFET-单个、，并支持“MOSFET N沟道80 V、N沟道80V 100A（Tc）4.8W（Ta）、120W（Tc）表面贴装PowerFlat？（5x6）、Trans MOSFET N-CH 80V 100V 8引脚功率Flat EP T/R、MOSFET N信道80 V、5.2 mOhm典型值、100 A STripFET F7功率MOSFET，采用PowerFlat 5x6封装。
STL100NH3LL是由ST制造的MOSFET N-CH 30V 100A PWRFLAT6X5。STL100NH3LL采用8-PowerVDFN封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH30V 100B PWRFLAT6 X5、N沟道30V 100C（Tc）80W（Tc）表面安装PowerFlat？（6x5）。
