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FDD13AN06A0是MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，零件别名如数据表注释所示，用于FDD13AN6A0_NL，提供单位重量功能，如0.009184盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-252-3、DPak（2引线+标签）、SC-63封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为TO-252AA，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，功率最大为115W，晶体管类型为1个N通道，漏极-源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为1350pF@25V，FET特性为标准，25°C电流连续漏极Id为9.9A（Ta），50A（Tc），最大Id Vgs的Rds为13.5mOhm@50A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为29nC@10V，Pd功耗为115W，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为77 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为50 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为11.5 m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为26ns，典型接通延迟时间为9ns，信道模式为增强。
带有FAIRCHILD制造的用户指南的FDD12P10。FDD12P10采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
FDD13AN06_F085（带电路图）FDD13AN6_F085采用TO-2523L（DPAK）封装，是IC芯片的一部分。
