9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP2033UVT-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP2033UVT-7参考价格为0.15669美元。Diodes Incorporated DMP2033UVT-7封装/规格：MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26。您可以下载DMP2033UVT-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMP2033UVT-13带有引脚细节，包括DMP2033系列，它们设计用于卷筒包装，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供PowerDI等商标功能，包装盒设计用于TSOT-23-6以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有1.7 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为21.8 ns，上升时间为13.4 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为-4.2 a，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极阈值电压为-0.9V，Rds导通漏极-漏极电阻为80m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为51.5ns，典型接通延迟时间为6.5ns，Qg栅极电荷为10.4nC，沟道模式为增强型。
DMP2033UCB9-7是MOSFET P-CH 20V U-WLB1515-9，包括-1.1 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在-20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于8.5 ns，提供典型的关断延迟时间功能，如47 ns，晶体管类型设计为在1个P通道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为DMP2033，器件的上升时间为11.8ns，器件的漏极-源极电阻为33mOhms，Qg栅极电荷为7nC，Pd功耗为1W，封装为卷轴式，封装盒为U-WLB1515-9，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为-4.2 A，下降时间为56 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
DMP2023UFDF-7是MOSFET 20V P-Ch Enh FET 8Vgss-7.6A ID 0.7W，包括SMD/SMT安装类型，它们设计为与U-DFN2020-6封装盒一起工作，包装如数据表说明所示，用于卷盘，提供DMP2023等系列功能，技术设计为在Si中工作。
