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DMTH3004LK3-13

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Ta)、75A(Tc) 最大功耗: 1.9W(Ta) 供应商设备包装: TO-252-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 2500

数量 单价 合计
2500+ 3.60160 9004.01000
  • 库存: 22500
  • 单价: ¥3.60160
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥9,004.01
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 最大功耗 1.9W(Ta)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 供应商设备包装 TO-252-3
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 44 nC @ 10 V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) +20伏、-16伏
  • 导通电阻 Rds(ON) 4毫欧姆 @ 20A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2370 pF@15 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 21A(Ta)、75A(Tc)

DMTH3004LK3-13 产品详情

DMTH3004LK3-13所属分类:分立场效应晶体管 (FET),DMTH3004LK3-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMTH3004LK3-13价格参考¥3.601604,你可以下载 DMTH3004LK3-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMTH3004LK3-13规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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