9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5441BDC-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5441BDC-T1-GE3参考价格为1.23000美元。Vishay Siliconix SI5441BDC-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8。您可以下载SI5441BDC-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI5441BDC-T1-E3是MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8，包括卷盘封装，它们设计用于SI5441BDC E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002998盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于ChipFET-8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有1.3 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为50 ns，上升时间为50纳秒，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为4.4 a，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为45m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为15ns，沟道模式为增强型。
Si5441BDC-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002998盎司，提供晶体管类型功能，如1个P沟道，晶体管极性设计为在P沟道中工作，以及Si技术，该器件也可以用作45毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为1.3 W，该器件以SI5441BDC-GE3零件别名提供，该器件具有一卷封装，封装盒为ChipFET-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为4.4 a，配置为单一。
SI5435DC-T1是由VISHAY制造的Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8引脚片式FET T/R。SI5435DC-T1采用1206-8封装，是IC芯片的一部分，支持Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8引脚芯片FET T/R。
SI5435DC-T1-E3是由VISHAY制造的Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8引脚片式FET T/R。SI5435DC-T1-E3采用MLP-8封装，是IC芯片的一部分，支持Trans-MOSFET P-CH 30V 4.1A 8引脚FET T/R。
