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SSM3J306T(TE85L,F)

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A(Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: TSM 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.11444 3.11444
10+ 2.66538 26.65387
  • 库存: 21
  • 单价: ¥3.11445
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.11
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规格参数

  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 场效应管类型 P-通道
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4V, 10V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 最大功耗 700mW (Ta)
  • 部件状态 过时的
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 280 pF@15 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2.4A(Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 117毫欧姆@1A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 2.5 nC@15 V
  • 供应商设备包装 TSM

SSM3J306T(TE85L,F) 产品详情

SSM3J306T(TE85L,F)所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SSM3J306T(TE85L,F) 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SSM3J306T(TE85L,F)价格参考¥3.114447,你可以下载 SSM3J306T(TE85L,F)中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SSM3J306T(TE85L,F)规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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