9icnet为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的BUK7Y29-40EX，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。BUK7Y29-40EX价格参考0.31856美元。Nexperia USA Inc.BUK7Y29-40EX封装/规格：MOSFET N-CH 40V 26A LFPAK56。您可以下载BUK7Y29-40EX英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BUK7Y25-80EX是MOSFET N沟道80 V 25 mo FET，包括卷轴封装，它们设计为与BUK7Y25-80E115零件别名一起工作，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如LFPAK-4，技术设计为在Si中工作，以及1信道数量的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供95W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10.5 ns，上升时间为9.2 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为39 A，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为16.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为17.5ns，典型接通延迟时间为6.9ns，Qg栅极电荷为25.9nC，沟道模式为增强。
BUK7Y22-100EX，带有用户指南，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于100 V，提供典型的开启延迟时间功能，如10 ns，典型的关闭延迟时间设计为35 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为17 ns，器件具有14.2 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为47 nC，Pd功耗为147 W，零件别名为BUK7Y22-100E115，封装为卷轴，封装盒为LFPAK-4，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为49 A，下降时间为20 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
BUK7Y25-60EX是MOSFET N沟道80 V 14 mo FET，包括三重公共源极配置，它们设计为在6.4 ns下降时间下工作，Id连续漏极电流如数据表注释所示，用于34 a，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，以及SMD/SMT安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为LFPAK-4，器件采用卷筒封装，器件具有64W的Pd功耗，Qg栅极电荷为16.1nC，Rds漏极-源极电阻为15.7mOhm，上升时间为6ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为11.2ns，典型导通延迟时间为5.3ns，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs第h栅极-源阈值电压为3V。
BUK7Y21-40EX，带EDA/CAD型号，包括SMD/SMT安装样式，设计为单配置操作，技术如数据表注释所示，用于Si，提供卷轴、晶体管极性等封装功能，设计为在N通道以及LFPAK-4封装盒中工作，该器件也可用作6.7 ns典型关断延迟时间。此外，上升时间为6.4ns，器件以5.5ns的下降时间提供，器件具有45W的Pd功耗，Vds漏极-源极击穿电压为40V，典型接通延迟时间为4.9ns，Id连续漏极电流为33A，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Vgs栅-源极电压为20V，漏极-源极电阻Rds为17.8 mOhms，Qg栅极电荷为10 nC，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C。
