PMPB20EN,115

规格参数

• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 安装类别 表面安装
• 制造厂商 安世半导体 (Nexperia)
• 漏源电压标 (Vdss) 30伏
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
• 漏源电流 (Id) @ 温度 7.2A (Ta)
• 包装/外壳 6-UDFN Exposed Pad
• 最大功耗 1.7W（Ta）、12.5W（Tc）
• 供应商设备包装 DFN2020MD-6
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10.8 nC@10 V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 435 pF @ 10 V
• 导通电阻 Rds(ON) 19.5欧姆@7A，10V
• 色彩/颜色 White