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BUK7Y153-100EX带有引脚细节，包括卷轴封装，它们设计为与BUK7Y53-100E115零件别名一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如LFPAK-4，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供37.3 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4.5 ns，上升时间为4.8 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为9.4 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为104mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为7.8ns，典型接通延迟时间为4ns，Qg栅极电荷为9.4nC，沟道模式为增强。
BUK7Y15-60EX是MOSFET N沟道60 V 15 mo FET，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，具有典型的开启延迟时间特性，如7.4 ns，典型的关闭延迟时间设计为17.8 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为9.9ns，器件的漏极-源极电阻为9.6mOhm，Qg栅极电荷为25.41nC，Pd功耗为94W，零件别名为BUK7Y15-60E115，封装为卷轴，封装盒为LFPAK-4，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为53 A，下降时间为10.9 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
BUK7Y14-80EX，带有电路图，包括增强通道模式，它们设计为单配置运行，数据表注释中显示了17.9 ns的下降时间，提供了连续漏电流特性，如65 a，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用LFPAK-4封装盒，该器件具有一个封装盘，Pd功耗为147W，Qg栅极电荷为44.8nC，Rds漏极-源极电阻为9.2mOhm，上升时间为13.2ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为33.3ns，典型接通延迟时间为9.1ns，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs栅-源极阈值电压为3V。
BUK7Y15-100EX，带EDA/CAD型号，包括SMD/SMT安装样式，设计为单配置操作，技术如数据表注释所示，用于Si，提供卷轴、晶体管极性等封装功能，设计为在N沟道以及LFPAK-4封装盒中工作，该器件也可以用作68 a Id连续漏电流。此外，Qg栅极电荷为54.5nC，该器件以43ns的典型关断延迟时间提供，该器件具有3V的Vgs栅极-源极阈值电压，下降时间为24ns，上升时间为21ns，Vgs栅极源极电压为20V，Pd功耗为195W，典型开断延迟时间为11ns，Vds漏极-源极击穿电压为100V，漏极-源极电阻Rds为10毫欧姆，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-55℃。
