9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP6023LFG-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP6023LFG-13参考价格为0.38519美元。Diodes Incorporated DMP6023LFG-13封装/规格：MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8。您可以下载DMP6023LFG-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMP58D0SV-7是MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT-563，包括DMP58系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000106盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SOT-563、SOT-666以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-563，配置为双通道，FET类型为2 P通道（双通道），最大功率为400mW，晶体管类型为2 P-通道，漏极至源极电压Vdss为50V，输入电容Cis-Vds为27pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为160mA，最大Id Vgs上的Rds为8 Ohm@100mA，5V，Vgs最大Id为2.1V@250μA，Pd功耗为400mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为160 mA，Vds漏极-源极击穿电压为50 V，Rds漏极源极电阻为8欧姆，晶体管极性为P沟道，沟道模式为增强。
DMP6023LE-13带用户指南，包括-3 V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-60 V，提供单位重量功能，如0.006632 oz，典型开启延迟时间设计为6 ns，该器件还可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为DMP60系列，该器件的上升时间为7.1 ns，漏极-源极电阻Rds为28 mOhms，Qg栅极电荷为53.1 nC，Pd功耗为2 W，封装为卷轴式，封装盒为SOT-223-4，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为-7A，下降时间为62ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
DMP6023LFG-13带有电路图，包括卷筒包装，设计用于DMP60系列，数据表说明中显示了用于Si的技术。
