FDN352AP

Name: FDN352AP
Brand: 台舟 (TECH PUBLIC)
SKU: 7145739-FDN352AP
Price: 1.187836 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A（Ta）最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 台舟 (TECH PUBLIC)
交期:2-3 工作日

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规格参数

制造厂商台舟 (TECH PUBLIC)
部件状态可供货
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
漏源电压标 (Vdss) 30伏
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
场效应管类型 P-通道
包装/外壳至236-3，SC-59，SOT-23-3
最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
供应商设备包装 SOT-23-3
最大功耗 500mW (Ta)
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
漏源电流 (Id) @ 温度 1.3A（Ta）
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 150 pF@15 V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.9 nC@4.5 V
导通电阻 Rds(ON) 180毫欧姆@1.3A，10V
材质钢

FDN352AP 产品详情

PowerTrench®P沟道MOSFET，Fairchild半导体

PowerTrench®MOSFET是经过优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷（Qg）、小反向恢复电荷（Qrr）和软反向恢复体二极管，有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
最新的PowerTrench®MOSFET采用了提供电荷平衡的屏蔽栅极结构。通过利用这一先进技术，这些设备的FOM（品质因数）显著低于前几代设备。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。

特色

-1.3A，-30伏
RDS（开启）=180 mΩ@VGS=-10V
-1.1A，-30伏
RDS（ON）=300 mΩ@VGS=-4.5V
用于极低RDS（ON）的高性能沟槽技术。
工业标准SOT-23封装的高功率版本。与SOT-23引脚相同，功率处理能力提高30%

应用

本产品通用，适用于许多不同的应用。
笔记本电脑电源管理

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型号	制造商	描述	价格
FDN-010	化学电子 (Chemtronics)	S/S .010" NEEDLE, 10/PK	¥1,616.99191
FDN-020	化学电子 (Chemtronics)	S/S .020" NEEDLE, 10/PK	¥1,932.89824
FDN360P(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.4171
FDN337N(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.33541
FDN308P(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.54865
FDN339AN(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.54865
FDN327N(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.43435
FDN358P(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.4846
FDN302P(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.44111
FDN336P(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.43435

FDN352AP所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDN352AP 由台舟 (TECH PUBLIC) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDN352AP价格参考￥1.187836，你可以下载 FDN352AP中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDN352AP规格参数、现货库存、封装信息等信息！