9icnet为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的BUK7Y9R9-80EX，在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。BUK7Y9R9-80EX价格参考1.66000美元。Nexperia USA Inc.BUK7Y9R9-80EX封装/规格：MOSFET N-CH 80V 89A LFPAK56。您可以下载BUK7Y9R9-80EX英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BUK7Y8R7-60EX是MOSFET BUK7Y 8R7-60E/LFPAK/REEL 7“Q1/，包括卷筒封装，它们设计为采用SMD/SMT安装方式操作，数据表注释中显示了用于LFPAK-4的封装盒，该LFPAK-4提供Si等技术特性，通道数设计为在1个通道中工作，以及单一配置，该设备也可以用作1个N通道晶体管类型。此外，Pd功耗为147 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为19 ns，上升时间为16 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为87 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Vgs第栅极-源极端阈值电压为3 V，Rds漏极源极电阻为8.7 mOhms，并且晶体管极性是N沟道，并且典型关断延迟时间是31ns，并且典型接通延迟时间是10ns，并且Qg栅极电荷是46nC，并且沟道模式是增强。
BUK7Y98-80EX，带有用户指南，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于80 V，提供典型的开启延迟时间功能，如3.9 ns，典型的关闭延迟时间设计为7.3 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为3.5 ns，器件的漏极-源极电阻为70 mOhms，Qg栅极电荷为8.5 nC，Pd功耗为37 W，封装为卷轴，封装外壳为LFPAK-4，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为12.3 A，下降时间为3.7 ns，配置为单一。
BUK7Y98-80E，电路图由NEXPERI制造。BUK7Y98-80E采用SOT669封装，是IC芯片的一部分。
