9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFD214PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFD214PBF价格参考0.66000美元。Vishay Siliconix IRFD214PBF封装/规格：MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP。您可以下载IRFD214PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFD210PBF是MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP，包括管封装，它们设计用于通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于HVMDIP-4，提供Si等技术特性，通道数设计用于1通道，以及单双漏极配置，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为1 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为17 ns，上升时间为17纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为600 mA，Vds漏极-源极击穿电压为200 V，Rds漏极源极电阻为1.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为14ns，典型接通延迟时间为8.2ns，沟道模式为增强。
IRFD214是MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在250 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表注释中显示了典型的开启延迟时间，用于7 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如16 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为7.6 ns，器件的漏极电阻为2欧姆Rds，器件具有1 W的Pd功耗，封装为管，封装外壳为HVMDIP-4，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为450mA，下降时间为7.6ns，配置为单双漏，通道模式为增强。
IRFD213带有由IR制造的电路图。IRFD213采用DIP-4封装，是IC芯片的一部分，N沟道250V 450mA（Ta）通孔4-DIP，Hexdip，HVMDIP，TRANS MOSFET N-CH 200V 0.6A 4-PIN HVMDIP。
