9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的DMT31M7LPS-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMT31M7LPS-13参考价格为0.56810美元。Diodes Incorporated DMT31M7LPS-13封装/规格：MOSFET N-CH 30V 30A PWRDI5060。您可以下载DMT31M7LPS-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMT3011LDT-7，带引脚细节，包括DMT3011系列，设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，数据表注释中显示了用于8-VDFN暴露焊盘的包装箱，其工作温度范围为-55°C~155°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及V-DFN3030-8供应商设备包，该器件也可以用作2N沟道（双）非对称FET型。此外，最大功率为1.9W，该器件提供30V漏极到源极电压Vdss，该器件具有641pF@15V的输入电容Cis-Vds，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为8A，10.7A，Rds On Max Id Vgs为20 mOhm@6A，10V，Vgs th Max Id为3V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为13.2nC@10V。
带有用户指南的DMT3009LDT-7，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与V-DFN3030-8供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于DMT3009，提供Rds on Max Id Vgs功能，如11.1 mOhm@14.4A，10V，Power Max设计用于1.2W，以及Digi-ReelR备用包装，该器件也可用作8-VDFN暴露焊盘封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有1500pF@15V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为20nC@15V，FET类型为2N通道（双）不对称，FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为30A。
DMT3020LFDB-7，带电路图，包括7.7A电流连续漏极Id 25°C，设计用于30V漏极到源极电压Vdss，FET功能如数据表注释所示，用于标准，提供FET类型功能，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于7nC@10V，以及393pF@15V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备采用6-UDFN暴露衬垫包装盒，该设备具有Digi-ReelR替代包装，最大功率为700mW，最大电流为20mOhm@9A，10V，系列为汽车，AEC-Q101，供应商设备包装为U-DFN2020-6，Vgsth最大Id为3V@250μA。
