9icnet为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的BUK7Y25-80EX，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。BUK7Y25-80EX参考价格为0.43345美元。Nexperia USA Inc.BUK7Y25-80EX封装/规格：MOSFET N-CH 80V 39A LFPAK56。您可以下载BUK7Y25-80EX英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BUK7Y22-100EX带有引脚细节，包括卷筒封装，它们设计为与BUK7Y12-100E115零件别名一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如LFPAK-4，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供147 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为17 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为49 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为14.2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为47nC，沟道模式为增强。
BUK7Y25-60EX是MOSFET N沟道80 V 14 mo FET，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，具有典型的开启延迟时间特性，如5.3 ns，典型的关闭延迟时间设计为11.2 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为6 ns，器件的漏极-源极电阻为15.7 mOhms，Qg栅极电荷为16.1 nC，Pd功耗为64 W，封装为卷轴式，封装外壳为LFPAK-4，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为34 A，下降时间为6.4 ns，配置为三重共源。
BUK7Y21-40EX，带有电路图，包括单组态，它们设计为在5.5 ns下降时间下工作，Id连续漏电流如数据表注释所示，用于33 a，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为LFPAK-4，器件采用卷筒封装，器件具有45W的Pd功耗，Qg栅极电荷为10nC，Rds漏极-源极电阻为17.8mOhms，上升时间为6.4ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为6.7ns，典型导通延迟时间为4.9ns，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs第h栅极-源阈值电压为3V。
