9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP210DUFB4-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP210DUFB4-7参考价格为0.27000美元。Diodes Incorporated DMP210DUFB4-7封装/规格：MOSFET P-CH 20V 200MA 3DFN。您可以下载DMP210DUFB4-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMP210DUDJ-7是MOSFET 2P-CH 20V 0.2A SOT-963，包括DMP210系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装外壳功能，如SOT-963，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，该设备在SOT-963供应商设备包中提供，该设备具有双重配置，FET类型为2 P信道（双重），最大功率为330mW，晶体管类型为2 P-信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为27.44pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为200mA，最大Id Vgs的Rds为5.5 Ohm@100mA，4.5V，Vgs最大Id为1.15V@250μA，Pd功耗为330 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为31.5 ns，上升时间为19.3 ns，Vgs栅源电压为8 V，并且Id连续漏极电流为-200 mA，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Vgs栅极-源极阈值电压为-1.15 V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.5欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为25.9 ns，典型导通延迟时间为7.7 ns，正向跨导最小值为150 S，并且信道模式是增强。
DMP2104V-7-HN，带有DIODES制造的用户指南。DMP2104V-7-HN采用SOT-563封装，是IC芯片的一部分。
DMP210DUFB4.TCT，电路图由DIODES制造。DMP210DUFB4.TCT采用SOT523封装，是IC芯片的一部分。
