9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQ4410EY-T1_BE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQ4410EY-T1_BE3价格参考1.60000美元。Vishay Siliconix SQ4410EY-T1_BE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC。您可以下载SQ4410EY-T1_BE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQ4284EY-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC，包括SQ系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及SO-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为2信道，该器件采用双配置，该器件具有2 N信道晶体管型，Pd功耗为3.9 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为40 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为8A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为13.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为32ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为30nC。
SQ4401EY-T1-GE3是MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于-40 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供典型的关断延迟时间特性，如67 nS，晶体管类型设计用于1个P沟道，该器件还可以用作TrenchFET商品名。此外，该技术为Si，该器件为SQ系列，该器件的上升时间为76 ns，漏极-源极电阻Rds为11 mOhms，Qg栅极电荷为74 nC，Pd功耗为7.14 W，零件别名为SQ4401EY-GE3，封装为卷轴式，封装外壳为SO-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为-17.3 A，下降时间为44 ns，配置为单四漏三源。
SQ4330EY-T1-GE3，带有VISHAY制造的电路图。SQ4330EY-T1-GE3采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
SQ4401EY-T1-E3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SQ4401EY-T1-E3采用SO-8封装，是IC芯片的一部分。
