9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFBG20PBF-BE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFBG20PBF-BE3价格参考1.92000美元。Vishay Siliconix IRFBG20PBF-BE3封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB。您可以下载IRFBG20PBF-BE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFBF30PBF是MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供125 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为3.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V至4V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.7欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为90ns，典型接通延迟时间为14ns，Qg栅极电荷为78nC，正向跨导最小值为2.3S，沟道模式为增强。
IRFBF30STRL是由IR制造的MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK。IRFBF30CTRL有TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH900V 3.6B D2PAK，N沟道900V 3.6V（Tc）125W（Tc，表面安装D2PAK）。
IRFBG20是由IR制造的MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB。IRFBG20以TO-220-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH1000V 1.4A-TO-220AA、N沟道1000V 1.4V（Tc）54W（Tc）通孔TO-220AB、Trans-MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin（3+Tab）TO-220AC。
