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TPH8R80ANH,L1Q

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 1.6W(Ta),61W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOP Advance (5x5) 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 12.24050 12.24050
10+ 10.98023 109.80236
100+ 8.82474 882.47490
500+ 7.25014 3625.07150
1000+ 6.00726 6007.26100
2000+ 5.64946 11298.92400
5000+ 5.64946 28247.31000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥12.24050
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥12.24
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 32A (Tc)
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 33 nC @ 10 V
  • 供应商设备包装 8-SOP Advance (5x5)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2800 pF@50 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 500A
  • 最大功耗 1.6W(Ta),61W(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 8.8毫欧姆 @ 16A, 10V
  • 材质

TPH8R80ANH,L1Q 产品详情

  • 应用范围:DC-DC转换器/开关稳压器/电机驱动器
  • 极性:N-ch
  • 世代:U-MOSⅧ-H
  • 内部连接:单个
  • RoHS兼容产品(#):可用
  • 组装基地:马来西亚

特色

  • 装配底座:4.0 V
  • 装配底座:8.8 mΩ
  • 装配底座:2180 pF
  • 装配底座:33 nC

应用

DC-DC转换器/开关稳压器/电机驱动器
TPH8R80ANH,L1Q所属分类:分立场效应晶体管 (FET),TPH8R80ANH,L1Q 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TPH8R80ANH,L1Q价格参考¥12.240501,你可以下载 TPH8R80ANH,L1Q中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TPH8R80ANH,L1Q规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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