9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的VN10KN3-G-P003，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VN10KN3-G-P003参考价格0.50600美元。Microchip Technology VN10KN3-G-P003封装/规格：MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3。您可以下载VN10KN3-G-P003英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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VN10KN3-G-P013带有引脚细节，包括弹药包包装，其设计用于0.016000盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-92-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供1 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为310 mA，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为7.5欧姆，晶体管极性为N沟道，沟道模式为增强。
带有用户指南的VN10KN3-G-P014，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.016000盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作7.5欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为1 W，该装置采用弹药包封装，该装置具有TO-92-3封装盒，通道数为1通道，安装方式为通孔，最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为310 mA，并且配置为单一，信道模式为增强。
VN10KN3-G-P002，带有电路图，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了310 mA的连续漏电流，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，以及通孔安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-92-3，器件采用卷筒封装，器件具有1 W的Pd功耗，Rds漏极-源极电阻为7.5欧姆，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、单位重量为0.016000盎司，Vds漏极源极击穿电压为60 V，Vgs栅极-源极电压为30V。
VN10KN3-G-P003，带有EDA/CAD型号，包括TO-92-3封装盒，它们设计为以通孔安装方式操作，配置如数据表注释所示，用于单体，提供Si等技术功能，封装设计为在卷筒中工作，以及N沟道晶体管极性，该设备也可以用作增强信道模式。此外，Rds漏极-源极电阻为7.5欧姆，器件提供60 V Vds漏极源极击穿电压，器件具有310 mA的Id连续漏极电流，Vgs栅极-源极电压为30 V，Pd功耗为1 W，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.016000盎司，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃。
