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NVD5806NT4G是MOSFET功率MOSFET 40V，其中包括NTD5806N系列，它们设计用于卷盘封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.139332盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有40W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为33 a，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，Rds漏极源极电阻为12.7 mOhm，并且晶体管极性是N沟道。
NVD5802NT4G是MOSFET DPAK 3W SMT PBF，包括40 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，系列设计用于NTD58022N，以及4.4 mOhms Rds漏极源极电阻，该器件也可以用作3W Pd功率耗散。此外，包装为卷轴式，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有安装式SMD/SMT，Id连续漏电流为101A。
NVD5805NT4G是MOSFET NFET DPAK 40V 51A 9.5MO，包括51 A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于to-252-3，提供卷盘、Rds漏极电阻等封装功能，设计工作在9.5 mOhms，以及NTD58055N系列，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，该器件的单位重量为0.13932盎司，该器件具有40 V的Vds漏极-源极击穿电压。
