- 应用范围：DC-DC转换器/开关稳压器/电机驱动器
- 极性：N-ch
- 世代：U-MOSⅧ-H
- 内部连接：单个
- RoHS兼容产品（#）：可用
- 组装基地：马来西亚
特色
- 装配底座：4.0 V
- 装配底座：4.7 mΩ
- 装配底座：2.3 mΩ
- 装配底座：4700 pF
- 装配底座：72 nC
应用
DC-DC转换器/开关稳压器/电机驱动器
TPH2R306NH,L1Q
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 1.6W（Ta）、78W（Tc） 供应商设备包装: 8-SOP Advance (5x5) 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 东芝 (Toshiba)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 12.24050 | 12.24050 |
| 10+ | 10.98023 | 109.80236 |
| 100+ | 8.82474 | 882.47490 |
| 500+ | 7.25014 | 3625.07150 |
| 1000+ | 6.00726 | 6007.26100 |
| 2000+ | 5.64946 | 11298.92400 |
| 5000+ | 5.64946 | 28247.31000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥12.24050
-
数量:
- +
- 总计: ¥12.24
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 8-PowerVDFN
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 制造厂商 东芝 (Toshiba)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 1毫安
- 供应商设备包装 8-SOP Advance (5x5)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 72 nC @ 10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 60A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 2.3毫欧姆@30A，10V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 6.5V, 10V
- 最大功耗 1.6W（Ta）、78W（Tc）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 6100 pF @ 30 V
- 色彩/颜色 White
TPH2R306NH,L1Q 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| TPHCS250-EAV | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | FUSE HLDR BLADE | ¥4,089.86645 |
| TPHCS250-MAV | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | FUSE HLDR BLADE | ¥4,089.86645 |
| TPHCS800-MAV | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | FUSE HLDR BLADE | ¥4,089.86645 |
| TPHCS-B-MAV | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH | ¥3,498.34786 |
| TPHCS-B-EAV | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH | ¥3,731.43344 |
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| TPH8R008NH,L1Q(M | 东芝 (Toshiba) | 暂无 | ¥6.93624 |
TPH2R306NH,L1Q所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，TPH2R306NH,L1Q 由 东芝 (Toshiba) 设计生产，可通过久芯网进行购买。TPH2R306NH,L1Q价格参考￥12.240501，你可以下载 TPH2R306NH,L1Q中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询TPH2R306NH,L1Q规格参数、现货库存、封装信息等信息！
东芝 (Toshiba)
东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案，使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。
