XP202A00003MR-G是一种P沟道功率MOSFET，具有低导通电阻和超高速开关特性。因为高速切换是可能的，所以可以有效地设置IC，从而节省能量。为了对抗静电，内置了一个栅极保护二极管。小型SOT-23封装使得高密度安装成为可能。
特征：
•低导通状态电阻Rds（On）=45mΩ@Vgs=-10V Rds（On）=67mΩ@Vgs=-4.5V•超高速开关•内置栅极保护二极管•驱动电压：-4V
XP202A0003MR-G
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tj) 最大功耗: 1W 供应商设备包装: SOT-23 工作温度: 150摄氏度
- 品牌: 特瑞仕 (Torex)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 3000
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 3000+ | 2.81879 | 8456.37600 |
- 库存: 0
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-
数量:
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 场效应管类型 P-通道
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10 nC@10 V
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4V, 10V
- 供应商设备包装 SOT-23
- 工作温度 150摄氏度
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.6V@1毫安
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 435 pF @ 10 V
- 制造厂商 特瑞仕 (Torex)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 5A (Tj)
- 最大功耗 1W
- 导通电阻 Rds(ON) 45毫欧姆 @ 1.5A, 10V
XP202A0003MR-G 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | XP20M00000S412 | CRYSTAL 20MHZ 30ppm, 12pF 2 Pads | ¥0.00 | |
| XP24M00000S420 | CRYSTAL 24MHZ 30ppm, 20pF 2 Pads | ¥0.00 | |
| XP25M00000S412 | CRYSTAL 25MHZ 30ppm, 12pF 2 Pads | ¥0.00 | |
| XP24M00000S416 | CRYSTAL 24MHZ 30ppm, 16pF 2 Pads | ¥0.00 | |
| XP27M00000S412 | CRYSTAL 27MHZ 30ppm, 12pF 2 Pads | ¥0.00 | |
| XP28M63636S410 | CRYSTAL 28.63636MHZ 30ppm, 10pF | ¥0.00 | |
| XP27M00000S416 | CRYSTAL 27MHZ 30ppm, 16pF 2 Pads | ¥0.00 | |
| XP24M57600S408 | CRYSTAL 24.576MHZ 30ppm, 8pF 2 P | ¥0.00 | |
| XP28M63636S418 | CRYSTAL 28.63636MHZ 30ppm, 18pF | ¥0.00 | |
| XP22M11840S418 | CRYSTAL 22.1184MHZ 30ppm, 18pF 2 | ¥0.00 |
XP202A0003MR-G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，XP202A0003MR-G 由 特瑞仕 (Torex) 设计生产，可通过久芯网进行购买。XP202A0003MR-G价格参考￥2.818792，你可以下载 XP202A0003MR-G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询XP202A0003MR-G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
特瑞仕 (Torex)
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