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SI3434-TP

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tj) 供应商设备包装: SOT-23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 微型商业组件 (Micro)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 54000

数量 单价 合计
54000+ 0.41284 22293.63000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥0.41285
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥22,293.63
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10 nC@10 V
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±10V
  • 供应商设备包装 SOT-23
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、10伏
  • 制造厂商 微型商业组件 (Micro)
  • 最大功耗 -
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 5A (Tj)
  • 导通电阻 Rds(ON) 42毫欧姆 @ 5A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 245 pF@15 V

SI3434-TP 产品详情

SI3434-TP所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SI3434-TP 由 微型商业组件 (Micro) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SI3434-TP价格参考¥0.412845,你可以下载 SI3434-TP中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SI3434-TP规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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