PMPB11R2VPX
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.7A (Ta) 最大功耗: 1.9W(Ta),12.5W(Tc) 供应商设备包装: DFN2020MD-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 安世半导体 (Nexperia)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 6000
数量 | 单价 | 合计 |
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6000+ | 1.07919 | 6475.15200 |
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 安世半导体 (Nexperia)
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
- 场效应管类型 P-通道
- 漏源电压标 (Vdss) 12伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
- 包装/外壳 6-UDFN Exposed Pad
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 900mV @ 250A
- 供应商设备包装 DFN2020MD-6
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 39 nC @ 4.5 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 9.7A (Ta)
- 最大功耗 1.9W(Ta),12.5W(Tc)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2230 pF@6 V
- 导通电阻 Rds(ON) 14欧姆@9.7A,4.5V
PMPB11R2VPX 产品详情
N沟道MOSFET,最高30V
PMPB11R2VPX所属分类:分立场效应晶体管 (FET),PMPB11R2VPX 由 安世半导体 (Nexperia) 设计生产,可通过久芯网进行购买。PMPB11R2VPX价格参考¥1.079192,你可以下载 PMPB11R2VPX中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询PMPB11R2VPX规格参数、现货库存、封装信息等信息!
安世半导体 (Nexperia)
Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家,这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。...