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DMP3099LQ-13
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DMP3099LQ-13

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A (Ta) 最大功耗: 1.08瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 10000

数量 单价 合计
10000+ 0.43848 4384.85000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥0.43849
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4,384.85
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 场效应管类型 P-通道
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 11 nC@10 V
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 供应商设备包装 SOT-23-3
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3.8A (Ta)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.1V@250A.
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 563 pF @ 25 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 65毫欧姆 @ 3.8A, 10V
  • 最大功耗 1.08瓦

DMP3099LQ-13 产品详情

该MOSFET被设计为最小化导通电阻(RDS(on)),同时保持优异的开关性能,使其适合于高效电源管理应用。

DMP3099LQ-13所属分类:分立场效应晶体管 (FET),DMP3099LQ-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMP3099LQ-13价格参考¥0.438485,你可以下载 DMP3099LQ-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMP3099LQ-13规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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