PSMN2R5-40YLDX
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 160A（Ta） 最大功耗: 147W（Ta） 供应商设备包装: LFPAK56，Power-SO8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安世半导体 (Nexperia)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 13.10964 | 13.10964 |
| 10+ | 11.72625 | 117.26255 |
| 100+ | 9.14416 | 914.41610 |
| 500+ | 7.55376 | 3776.88250 |
| 1500+ | 5.96344 | 8945.16300 |
- 库存: 0
- 单价: ¥13.10965
-
数量:
- +
- 总计: ¥13.11
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 制造厂商 安世半导体 (Nexperia)
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 78 nC @ 10 V
- 供应商设备包装 LFPAK56，Power-SO8
- 包装/外壳 SC-100，SOT-669
- 场效应管特性 肖特基二极管（体）
- 导通电阻 Rds(ON) 2.6毫欧姆@25A，10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 160A（Ta）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.05V@1毫安
- 最大功耗 147W（Ta）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5583 pF @ 20 V
PSMN2R5-40YLDX 产品详情
恩智浦提供了具有高性能和独特的“SchottkyPlus”技术的30 V NextPowerS3 MOSFET。它是第一个提供高频、低尖峰性能的MOSFET，通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET相关，并且没有问题的高漏电流。NextPowerS3 MOSFET可用于多种应用，包括电信和云计算的高效电源、高性能便携式计算和电池供电的电机控制，如可充电电动工具。单击此处查看完整图片单击此处查看SMPS中反向恢复和二极管泄漏的视频单击此处查看用于DC/DC降压稳压器的NextSPowerS3 MOSFET的视频
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | PSM500JB-10R | 国巨 (Yageo) | 电阻: 10欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 5W 组成成分: Wirewound 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度~350摄氏度 | ¥3.38577 |
 | PSM500JB-100R | 国巨 (Yageo) | 电阻: 100欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 5W 组成成分: Wirewound 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度~350摄氏度 | ¥3.38577 |
 | PSM500JB-120R | 国巨 (Yageo) | 电阻: 120欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 5W 组成成分: Wirewound 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度~350摄氏度 | ¥3.38577 |
 | PSM500JB-12R | 国巨 (Yageo) | 电阻: 12欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 5W 组成成分: Wirewound 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度~350摄氏度 | ¥3.38577 |
 | PSM500JB-150R | 国巨 (Yageo) | 电阻: 150欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 5W 组成成分: Wirewound 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度~350摄氏度 | ¥3.38577 |
 | PSM500JB-15R | 国巨 (Yageo) | 电阻: 15欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 5W 组成成分: Wirewound 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度~350摄氏度 | ¥3.38577 |
 | PSM500JB-180R | 国巨 (Yageo) | 电阻: 180欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 5W 组成成分: Wirewound 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度~350摄氏度 | ¥3.38577 |
 | PSM500JB-18R | 国巨 (Yageo) | 电阻: 18欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 5W 组成成分: Wirewound 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度~350摄氏度 | ¥3.38577 |
PSMN2R5-40YLDX所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，PSMN2R5-40YLDX 由 安世半导体 (Nexperia) 设计生产，可通过久芯网进行购买。PSMN2R5-40YLDX价格参考￥13.109649，你可以下载 PSMN2R5-40YLDX中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询PSMN2R5-40YLDX规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安世半导体 (Nexperia)
Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家，这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。...
