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PSMN7R8-120PSQ是MOSFET N沟道120V 7.9mo FET，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1沟道数量的信道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供349 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为60.8 ns，上升时间为55.3 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为70 A，Vds漏极-源极击穿电压为120V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为6.72mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为151.8ns，典型接通延迟时间为45.5ns，Qg栅极电荷为167nC。
PSMN7R8-120ESQ是MOSFET N沟道120 V 7.9 mo FET，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于120 V，提供单位重量功能，如0.084199 oz，典型开启延迟时间设计为45.5 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为55.3 ns，漏极-源极电阻Rds为6.72 mOhms，Qg栅极电荷为167 nC，Pd功耗为349 W，封装为管，封装盒为I2PAK-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为70 A，下降时间为60.8 ns，配置为单一。
带有NXP制造的电路图的PSMN7R8-120XS。PSMN7R8-120XS采用TO-220F封装，是IC芯片的一部分。
PSMN7RO-60YS，带有NXP制造的EDA/CAD模型。PSMN7RO-60YS采用SOT669封装，是IC芯片的一部分。
