DMP213DUFA-7B

规格参数

• 部件状态 可供货
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 安装类别 表面安装
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
• 场效应管类型 P-通道
• 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
• 最大功耗 360mW (Ta)
• 最大栅源极电压 (Vgs) -8V
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.7伏、4.5伏
• 包装/外壳 3-XFDFN
• 漏源电压标 (Vdss) 25伏
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.35 nC@4.5 V
• 供应商设备包装 X2-DFN0806-3
• 导通电阻 Rds(ON) 200毫安时10欧姆，4.5伏
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 27.2 pF@10 V
• 漏源电流 (Id) @ 温度 145毫安（Ta）