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CSD17578Q5AT是MOSFET 30V N沟道NexFET功率MOSFET，包括CSD17578Q 5A系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000847盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于VSON-8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有42 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为2 ns，上升时间为22 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为59 a，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.1V，Rds导通漏极-漏极电阻为7.9mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为17ns，典型接通延迟时间为4ns，Qg栅极电荷为7.9nC，正向跨导最小值为44S，沟道模式为增强。
CSD17578Q5A是MOSFET 30V N-Chan NexFET？功率MOSFET 8-VSONP，包括+/-20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002677盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该设备也可以用作CSD17578Q5A系列。此外，Rds漏极源极电阻为9.3毫欧，该器件采用卷筒封装，该器件具有SON-8封装盒，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏极电流为59 a。
CSD17579Q3A是MOSFET CSD17579Q3A 30 V 8-VSONP，包括卷筒包装，它们设计用于CSD17579Q1A系列，技术显示在数据表注释中，用于Si，提供NexFET等商标功能。
