9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIS476DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIS476DN-T1-GE3参考价格为1.23000美元。Vishay Siliconix SIS476DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8。您可以下载SIS476DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SiS476DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SiS476DN-GE3的零件别名，该SiS476DN/GE3提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于TrenchFET以及PowerPAKR 1212-8封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR 1212-8，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为52W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为3595pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为40A（Tc），最大Id Vgs的Rds为2.5 mOhm@15A、10V，Vgs的最大Id为2.3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为77nC@10V，Pd功耗为52 W，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vgs栅极-源极电压为2.3 V，Id连续漏极电流为40 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为2.5 mΩ，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为22.5 nC。
SIS468DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 80V 30A 1212-8，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于3 V Vgs th栅极-源极阈值电压，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于3 V，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，如80 V，晶体管类型设计用于1 N沟道，该器件还可以用作ThunderFET TrenchFET商品名。此外，该技术为Si，该器件在PowerPAKR 1212-8供应商器件包中提供，该器件具有系列TrenchFETR，Rds On Max Id Vgs为19.5 mOhm@10A，10V，Rds On漏极-源极电阻为19.5 m Ohm，Qg栅极电荷为8.7 nC，功率最大值为52W，Pd功耗为52 W，部件别名为SIS468DN-GE3，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为PowerPAKR 1212-8，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，输入电容Cis-Vds为780pF@40V，Id连续漏极电流为30A，栅极电荷Qg-Vgs为28nC@10V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为80V，电流连续漏极Id 25°C为30A（Tc），配置为单一。
SIS472DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8，包括20 A Id连续漏极电流，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，提供SMD/SMT等安装方式功能，通道数设计为在1个通道中工作，以及PowerPAK-1212-8封装盒，该装置也可以用作卷筒包装。此外，部件别名为SIS472DN-GE3，该器件提供28W Pd功耗，该器件具有8.9mOhms的Rds漏极-源极电阻，系列为SISxxxDN，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，Vds漏极源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极电压为20V。
SIS472DN是VISHAY制造的MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8。SIS472DN在PowerPAK®1212-8封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8。
