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MCG55P02A-TP

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 55A 最大功耗: 3.2W(Ta)、38W(Tc) 供应商设备包装: DFN3333-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 微型商业组件 (Micro)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 9.99520 9.99520
10+ 8.93049 89.30496
100+ 6.96332 696.33240
500+ 5.75231 2876.15550
1000+ 4.54129 4541.29800
2000+ 4.23854 8477.09000
5000+ 4.12845 20642.26500
  • 库存: 0
  • 单价: ¥9.99520
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥10.00
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±10V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.8伏、4.5伏
  • 制造厂商 微型商业组件 (Micro)
  • 供应商设备包装 DFN3333-8
  • 最大功耗 3.2W(Ta)、38W(Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 149 nC@10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 55A
  • 导通电阻 Rds(ON) 8.3毫欧姆 @ 15A, 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 6358 pF @ 10 V

MCG55P02A-TP 产品详情

MCG55P02A-TP所属分类:分立场效应晶体管 (FET),MCG55P02A-TP 由 微型商业组件 (Micro) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MCG55P02A-TP价格参考¥9.995202,你可以下载 MCG55P02A-TP中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MCG55P02A-TP规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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