DMJ70H900HJ3
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 700 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-251 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 75
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 75+ | 10.48482 | 786.36165 |
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 包装/外壳 TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 最大功耗 68W (Tc)
- 漏源电压标 (Vdss) 700 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 7A (Tc)
- 供应商设备包装 TO-251
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 18.4 nC@10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 900毫欧姆 @ 1.5A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 603 pF @ 50 V
- 材质 钢
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DMJ70H900HJ3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，DMJ70H900HJ3 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMJ70H900HJ3价格参考￥10.484822，你可以下载 DMJ70H900HJ3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMJ70H900HJ3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
达尔科技 (Diodes rporated)
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