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FDD8N50NZTM是MOSFET UNIFET2 500V N-CH MOSFET DPAK，包括卷轴封装，它们设计为以0.009184盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为90 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为27 ns，上升时间为34 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为6.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为500 V，Rds漏极源极电阻为850 mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为43ns，典型接通延迟时间为17ns，Qg栅极电荷为14nC。
带有FAIRCHILD制造的用户指南的FDD8955。FDD8955以TO-252封装形式提供，是IC芯片的一部分。
FDD8N50NZ，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDD8N50NZ提供TO-252封装，是FET的一部分-单个。
