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XP151A12A2MR-G

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A(Ta) 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 特瑞仕 (Torex)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 3000

数量 单价 合计
3000+ 2.02171 6065.13300
  • 库存: 0
  • 单价: ¥2.02171
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥6,065.13
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、4.5伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 180 pF@10 V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 供应商设备包装 SOT-23
  • 最大功耗 500mW (Ta)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 1A(Ta)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.4V@1毫安
  • 制造厂商 特瑞仕 (Torex)
  • 导通电阻 Rds(ON) 100毫欧姆@500毫安,4.5V

XP151A12A2MR-G 产品详情

■一般说明
XP151A12A2MR-G是一种N沟道功率MOSFET,具有低导通电阻和超高速开关
特点。
因为高速切换是可能的,所以可以有效地设置IC,从而节省能量。
为了对抗静电,内置了一个栅极保护二极管。

小型SOT-23封装使得高密度安装成为可能。

应用
●笔记本电脑
●移动电话和便携式电话
●车载电源
●锂离子电池系统
■特征
低导通状态电阻:Rds(导通)=0.1Ω@Vgs=4.5V
:Rds(开)=0.16Ω@Vgs=2.5V
超高速开关
内置栅极保护二极管
驱动电压:2.5V
N沟道功率MOSFET
DMOS结构
小包装:SOT-23
环保:符合欧盟RoHS,无铅


(图片:引线/示意图)

XP151A12A2MR-G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),XP151A12A2MR-G 由 特瑞仕 (Torex) 设计生产,可通过久芯网进行购买。XP151A12A2MR-G价格参考¥2.021711,你可以下载 XP151A12A2MR-G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询XP151A12A2MR-G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

特瑞仕 (Torex)

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