XP151A12A2MR-G是一种N沟道功率MOSFET,具有低导通电阻和超高速开关
特点。
因为高速切换是可能的,所以可以有效地设置IC,从而节省能量。
为了对抗静电,内置了一个栅极保护二极管。
小型SOT-23封装使得高密度安装成为可能。
■应用
●笔记本电脑
●移动电话和便携式电话
●车载电源
●锂离子电池系统
■特征
低导通状态电阻:Rds(导通)=0.1Ω@Vgs=4.5V
:Rds(开)=0.16Ω@Vgs=2.5V
超高速开关
内置栅极保护二极管
驱动电压:2.5V
N沟道功率MOSFET
DMOS结构
小包装:SOT-23
环保:符合欧盟RoHS,无铅
(图片:引线/示意图)